001 非易失性存储单元及非易失性半导体存储装置
002 包括扩展存储单元的铁电存储器件
003 半导体存储器件和半导体集成电路
004 控制内电压电平的内部电压发生电路和基准电压发生电路
005 半导体存储装置
006 改进预充电时间的半导体存储装置
007 使用快速存储器单元的熔丝初始化电路
008 半导体集成电路器件
009 可选择位元组的快闪电可擦可编程只读存储器阵列
010 半导体存储装置和存储单元的写入以及擦除方法
011 半导体存储装置及存储单元的存储数据修正方法
012 半导体存储装置及存储单元阵列的擦除方法
013 具备稳定地提供期望电流的电路的非易失性存储装置
014 非易失性半导体存储装置以及行线短路故障检测方法
015 数据存储装置中存储单元的选择
016 半导体器件、图像数据处理装置和方法
017 存储器和存取器件及其方法
018 相变存储器及其制造方法
019 具有弹性排区分区的闪存
020 带有含双寄存器的页面缓冲器的存储器件及其使用方法
021 电压产生电路
022 半导体存储装置及参考单元的修正方法
023 高速低功耗动态无比移位寄存器结构
024 可调节电流模式微分放大器
025 有磁隧道结的薄膜磁性体存储装置
026 通过缩短充电时间高速进行数据读出的非易失性存储装置
027 半导体存储电路
028 非易失性存储器
029 含保证读出边限的读出放大器的非易失存储装置
030 半导体存储装置
031 磁阻存储器
032 存储单元电路、存储设备、运动矢量检测器、和运动补偿预测编码器
033 在存储阵列中使用互补位的设备与方法
034 擦除后自动编程扰乱(APDE)期间提高效率的快闪存储装置
035 用于测试数据存储器的测试方法
036 用于测试和修复的电路和方法
037 高速存储系统中同步读出定时的方法
038 用于跨边界存储器访问的方法及装置
039 操作MRAM半导体内存排列之方法
040 相联存储器及其检索方法、网络设备及网络系统
041 用于读取数据的系统延迟均衡法
042 在擦除期间减少带到带隧穿电流的输入/输出分区系统及方法
043 用以在写入存储器阵列时偏压选择和未选择阵列线的方法与装置
044 具有加倍数据传输速率的半导体存储器操作方法
045 半导体存储器
046 带外部验证的特殊编程模式
047 增强的特殊编程模式
048 电阻交叉点阵列中多比特存储单元的读操作
049 磁性随机存取存储器的铁磁共振切换
050 半导体存储器件
051 可降低最低工作电压的存储元件的读取电路
052 半导体储存装置的驱动器装置及操作驱动器装置的方法
053 具有延迟自动预充电功能的半导体存储器件及其相关方法
054 半导体存储装置及半导体集成电路装置
055 半导体存储器件
056 半导体装置和半导体存储装置
057 半导体存储器
058 半导体器件的升压电路
059 局部俘获式非易失性存储器的数据保留
060 带有测试功能和冗余功能的半导体存储装置
061 具有测试装置的存储模块
062 外存储装置及其控制装置和数据发送与接收装置
063 一种利用字线驱动器驱动字线的方法
064 应用非易失性铁电存储器的交错控制装置
065 存储器故障消除电路
066 非易失存储器系统中不可用块的管理
067 具有安全装置的电子产品及其使用方法
068 高速高效地变更现场可编程门阵列功能的非易失存储装置
069 非易失性半导体存储器的数据擦除方法
070 具有降低噪声的电压产生器
071 具有不平行的主磁阻和参考磁阻的磁随机存取存储器器件
072 半导体存储装置与半导体装置
073 半导体存储装置及其控制方法
074 闪存的数据写入与读取方法及电路
075 半导体存储器设备及数据写入方法
076 可编程选项电路及防止其未编程前的大电流产生的方法
077 包括写保护区的非易失性存储器件
078 强电介体存储器
079 具有自组装聚合物薄膜的内存装置及其制造方法
080 位线预充电
081 磁阻性存储器胞元的写入方法及可由此方法写入的磁阻性存储器
082 半导体存储器
083 动态存储器及测试动态存储器之方法
084 存储装置
085 用于降低单片直流电流的片上终接电路、方法及存储系统
086 存储控制器的读写切换方法
087 具有省电模式的存储器装置及具有省电模式的存储器的电子装置
088 利用氧化层和电流诱导加热的热辅助磁写入
089 磁扰降低的半导体存储装置
090 半导体存储装置
091 半导体存储器件及其控制方法
092 低电压读出放大器装置
093 半导体存储装置
094 半导体装置
095 磁性随机存取存储器参考中点电流发生器
096 存取器导体磁随机存取存储器的系统和方法
097 设有双单元的半导体存储装置
098 消除动态随机处理内存的短路漏泄电流的电路
099 双相预充电电路及其组合的消除漏泄电流电路
100 闪存介质中的数据管理方法
101 具有副放大器结构的半导体存储装置
102 变更擦除单位而制造的非易失半导体存储装置
103 非易失性半导体存储器件
104 一种测试SDRAM器件的方法
105 降低老化试验时的功耗的半导体存储器
106 一种堆栈的指针产生器与指针产生的方法
107 使用于存储器单元电路的数据感应方法
108 设有程序元件的薄膜磁性体存储装置
109 磁阻式随机存取存储器电路
110 窄化起始电压分布的方法
111 具有网络高总线效率的存储设备、其操作方法及存储系统
112 存储器的高速感测电路及方法
113 半导体存储器件
114 可调整数据输出时刻的同步型半导体存储器
115 全局位线对的电位振幅限制成部分摆幅的半导体存储装置
116 半导体内存记忆胞元之读取方法及半导体内存
117 具有上电或复位硬件安全特性的安全多熔丝只读存储器及其方法
118 MTJ MRAM串并行体系结构
119 DRAM及DRAM的刷新方法
120 内容可寻址磁性随机访问存储器
121 具有改进锁存功能的检测放大器
122 具有高速页面模式操作的非易失性存储装置
123 铁电存储器及其操作方法
124 高存储深度快速模拟采样器
125 非易失性存储器和通过附加修改的空存储单元加速测试地址解码器的方法
126 通过将位线保持在固定电势来早写入存储器的系统和方法
127 带位线预先充电、反转数据写入、保存数据输出的低功耗动态随机存取存储器
128 体现一次性编程(OTP)自对准硅化多熔丝阵列中活动的跟踪与锁存读出放大器...
129 工作周期效率静态随机存取存储器单元测试
130 半导体器件
131 存储器模块的测试方法及执行该方法的设备
132 存储装置
133 具有不对称包覆导体的磁随机存取存储器
134 掩埋磁隧道结存储器单元和方法
135 存储器
136 时钟同步型半导体存储设备
137 半导体存储器件及载有其和逻辑电路器件的半导体器件
138 升压电路
139 难以发生熔断器的切断的误识别的半导体装置
140 静态随机存取存储器的输出装置
141 非易失性半导体存储器
142 非易失性半导体存储器
143 具有多个存储体的半导体存储装置
144 具有刷新地址生成电路的半导体存储器件
145 快速检知非挥发性储存媒体状态的方法
146 三维结构存储器
147 抑制电源配线的磁场噪声影响的薄膜磁性体存储装置
148 半导体集成电路和集成电路卡
149 防止由干扰的累积引起的数据变化的半导体记忆装置
150 高压输入垫的静电放电保护装置及方法
151 测试半导体存储器件的方法和半导体存储器件的测试电路
152 记忆模组、测试系统及测试一或复数记忆模组的方法
153 半导体存储装置
154 一种在交易时修改存储卡上数据的方法
155 相联存储器系统、网络设备及网络系统
156 磁性储存装置
157 DRAM及访问方法
158 具有冗余形式地址的高速缓存访问的标记设计
159 移位寄存器及使用其的液晶显示器
160 存储装置
161 存储元件及自动修复此存储元件中的缺陷存储单元的方法及存取此存储元件的方法
162 一种引导用只读存储器的写保护实现方法
163 数据读出精度高的薄膜磁性体存储器
164 在数据层中具有控制成核位置的磁存储元件
165 在磁阻器件中使用延迟电脉冲
166 磁随机存取存储器
167 磁随机存取存储器
168 半导体存储设备和半导体存储设备的写入方法
169 半导体存储装置和用于写入数据的方法
170 提高速度并降低电流消耗的锁存结构与系统
171 用于高速数据存取的动态随机存取存储器
172 三元内容可寻址存储器件
173 半导体存储器件
174 闪存的对角线测试方法
175 带补救电路的半导体存储装置
176 测试一组功能上独立的存储器和置换故障存储字的系统
177 具有冗余结构的薄膜磁介质存储装置
178 能按照自基准方式读出数据的薄膜磁性体存储装置
179 抑制了内部的磁噪声的薄膜磁性体存储器
180 基于选择存储单元与基准单元的电阻差读出数据的存储器
181 磁性随机存取存储器及其读写数据的方法
182 半导体存储装置
183 不良芯片的补救率提高了的半导体存储器
184 半导体存储器件
185 用于集成电路的泵激电路及方法
186 半导体集成电路及其制造方法
187 快闪存储器装置及提供其安全性的方法
188 闪存及其程序规划和重复烧录的方法
189 非易失性半导体存储装置和它的数据写入方法
190 用于高速感测放大器的控制时脉产生器及控制时脉产生方法
191 具有软基准层的磁阻器件
192 集成电路存储器件电源电路和操作它们的方法
193 快闪存储器的分页缓冲器
194 NOR结构半导体记忆装置
195 一种有效利用现场可编程门阵列中的存储器的方法
196 压缩事件计数技术及其在闪存系统中的应用
197 模块式存储装置
198 采用磁阻存储技术的模拟功能模块
199 使用三层金属互连的闪存架构
200 带有多维一级位线的高性能嵌入式半导体存储装置
201 为低VCC读取提升位线电压的方法及装置
202 具有状态脉冲串输出的同步快闪存储器
203 铁电存储器及其操作方法
204 内部电压电平控制电路和半导体存储装置以及其控制方法
205 可写的跟踪单元
206 存储器模块和存储器系统
207 可动态配置的内容可寻址存储器系统
208 一种电写入、热可擦有机电双稳薄膜及其应用
209 非易失半导体存储装置
210 按内容寻址的存储器器件
211 更新非易失性内存的方法与系统
212 嵌入式系统闪存芯片驱动方法
213 用于非易失存储系统的电源管理数据块
214 利用击穿电压的半导体存储单元薄氧化层的测试方法 |
|
